半导体光电照明与显示作为我国战略新兴产业之一，成为当前新一代信息技术的重要发展方向。高品质照明与显示技术对半导体发光材料和器件提出了越来越高的要求。胶体半导体量子点因其高发光效率、高色纯度、可溶液加工以及带隙可调等优势，有望在超高清显示屏和高端照明等领域得到广泛应用。

我院发光与光信息技术教育部重点实验室、北京市新型显示与智能感知重点实验室唐爱伟教授团队在过去两年时间里，面向半导体照明与显示方面的需求，针对电致发光器件中材料结构与光电性能的构效关系、器件界面处的载流子注入和输运不平衡等关键科学问题开展研究，取得了系列重要成果（Nature, 2024, 635, 854-859; Nano Letter, 2024, 24, 9683-9690; Nano Letter, 2024, 24,15781-15787; Light: Light: Science & Applications, 2025, 14, 251; Advanced Functional Materials, 2025, 35, 2506331）。

近日，该团队在多元银基硫属化合物胶体量子点的发光光谱窄化及其电致发光器件应用方面取得重要进展。他们通过阳离子交换策略制备出发光光谱的半高全宽为29 nm的Ag-In-Ga-S合金型量子点，进而通过第一性原理计算和瞬态吸收技术对其发光机制进行了详细研究，阐明了窄谱带发射峰主要来自导带与Ag空位能级之间的辐射复合。最终制备出发光光谱的半高全宽小于30 nm的电致发光器件，器件的外量子效率达到了1.2%。相关结果发表于ACS Nano（2026, 20, 2812-2820）。

该论文为北京交通大学物理科学与工程学院光学工程博士研究生解修林和南京理工大学材料科学与工程学院刘高豫为共同第一作者，北京交通大学物理科学与工程学院唐爱伟，南京理工大学材料科学与工程学院张胜利和国家纳米科学中心卢晋为文章的共同通讯作者。北京交通大学物理科学与工程学院为第一通讯单位。

论文链接: https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.5c17528。