报告题目：基于分子磁体的分子自旋量子比特：面向量子计算机与高密度存储器件

报告学者：山下正广 教授

报告者单位：同济大学

报告摘要：

自旋电子学是基于电子的电荷和自旋自由度的关键技术，被认为是21世纪的一项重要技术。利用巨磁阻（GMR）原理的磁阻式随机存取存储器（MRAM）与传统电子器件相比具有多项优势。尽管通常使用的是由过渡金属组成的传统磁体，但在我们的研究中使用分子基纳米磁体和单分子磁体（SMMs）来克服“摩尔定律的局限”，同时SMMs 也可用于量子计算机。本报告将讨论可以用于量子计算机的分子自旋量子比特（基于：[1] 晶体工程、[2] g 因子工程、[3] 分子轨道工程、[4] 分子设计等方法），以及其用于高密度存储设备的研究，例如单分子存储器件、封装在单壁碳纳米管（SWCNT）中的SMMs，具有负磁阻效应的金属导电SMMs等。

个人简介：

山下正广教授，同济大学长江讲席教授，日本东北大学化学系荣誉教授，华南理工大学自选科技研究院学术委员，英国皇家学会会士。主要从事纳米分子自旋电子学配位化合物的开发及性质研究工作。曾获得过多个学术奖项，包括井上科学奖，向井奖，日本化学会奖等。

报告时间：2025年10月13日（周一） 下午14:00

报告地点：科技大厦11层物理科学与工程学院会议室