报告题目：宽禁带半导体氮化镓材料与器件

报告学者： 杨静

报告者单位： 中国科学院半导体研究所

学者简介:

杨静 中国科学院半导体研究所研究员，国家高层次人才计划青年项目入选者，国家重点研发计划首席青年科学家，中国科学院青年创新促进会优秀会员，北京市科技新星计划入选者。一直从事GaN基材料MOCVD生长、光电子器件制备及相关物理机理的研究。以第一作者和通信作者发表SCI论文70余篇，授权专利10余项。

报告简介:

氮化镓（GaN）材料体系光谱范围覆盖了从近红外到深紫外波段，是目前制备可见光和紫外光电子器件的理想材料。以GaN为核心材料的光电子器件在激光显示、激光加工、激光通信等领域有重要的应用价值，市场空间巨大。本报告重点介绍GaN基宽禁带半导体材料与器件应用、面临挑战以及报告人近年来在GaN基材料缺陷抑制、掺杂调控及GaN基激光器制备方面的研究成果。

报告时间：2025年6月27日16：20-18：00

报告地点：SX406