报告题目：晶体管缺陷与可靠性物理研究

报告学者： 刘岳阳

报告者单位： 中国科学院半导体研究所

学者简介: 刘岳阳，中国科学院半导体研究所研究员、博导。2017年在湖南大学物理系获博士学位，同年加入中科院半导体所从事博士后研究，2019-2020年在美国劳伦斯伯克利国家实验室进行访学研究，2020年11月入职中科院半导体所。刘岳阳长期从事半导体器件的原子级第一性原理计算研究，在器件界面、缺陷和可靠性等方面积累了丰富的研究经验和基础。迄今以第一作者或通讯作者身份发表论文30余篇，包括国际顶级会议International Electron Devices Meeting (IEDM)、Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI) 和权威期刊Physical Review B/Applied、Advanced Materials等。

报告简介: 可靠性是衡量半导体器件先进性的一个关键指标。现代晶体管器件正在沿着尺寸缩小、结构改良以及材料创新三个方向飞速发展，这些变革性因素导致器件的原子级细节和量子效应空前重要，同时可靠性问题的物理机制更加复杂和多样化，传统可靠性模拟工具的精确性和有效性面临着严重挑战。为应对这种问题，亟需发展从原子级第一性原理计算出发的策略，一方面精确计算材料、界面和缺陷的关键参数，另一方面深入揭示可靠性问题的微观物理机制，最终实现晶体管器件可靠性的精确模拟。本课程将详细介绍从原子级到器件级的可靠性多尺度模拟方法，包括原子级模型构建、第一性原理计算、缺陷电荷俘获速率计算、缺陷产生过程动态模拟、阈值电压漂移计算等，最终展现计算模拟与实验数据的拟合对比。

报告时间：2025年6月20日16：20-18：00

报告地点：SX406