报告题目：硅基光子及异质集成技术

报告学者： 杨华

报告者单位： 中国科学院半导体研究所

学者简介: 杨华，中国科学院半导体研究所研究员，中国科学院大学岗位教师，博士生导师，国家及中国科学院高层次人才计划入选者，光电子材料与器件全国重点实验室副主任。2006年至2008年在新加坡南洋理工大学从事博士后研究工作，2008年至2021年于爱尔兰丁达尔国家研究所任永久职位高级研究员，2018年至2022年于洛克利光子有限公司担任高级研发经理，长期从事光电子器件与集成技术的研究及产业化，在国际期刊和会议中发表了70多篇论文，拥有多项国际发明专利。目前主要研究领域：高频光电子器件与集成、硅光子技术，微转印异质集成技术等。

报告简介: 

硅基光子及异质集成技术是融合硅基微电子与光子学的前沿交叉领域，通过将光电子器件与硅基芯片异质集成，为突破传统电子器件的性能瓶颈提供了革命性解决方案。该技术利用成熟的CMOS工艺平台，在硅衬底上集成激光器、调制器、波导和探测器等关键光子器件，同时通过异质集成方法实现III-V族化合物等半导体与硅材料的高效融合。

本报告将介绍硅基光子技术、研究现状及其在数据中心光互连、5G通信、激光雷达和光计算等领域的应用，着重介绍晶圆键合、外延生长、微转印等异质集成技术及其在硅基光源和高速光模块技术领域的应用。另外报告将介绍半导体所在硅基光子及异质集成领域的研究进展。

报告时间：2025年6月13日16：20-18：00

报告地点：SX406