报告题目：基于异质集成的硅基材料与光电子器件研究

报告学者： 伍绍腾

报告者单位：中国科学院半导体研究所 

学者简介: 中国科学院半导体研究所研究员。2023年12月获中国科学院“海外引进高层次人才计划”择优支持。长期专注于全四族SiGeSn单片集成的硅基集成光电子领域研究，旨在解决现阶段硅光电系统缺少硅基光源、跨材料集成难度高、CMOS工艺不兼容等难题。近5年来以第一或通讯作者身份在光电芯片领域核心期刊，如Photonics Research、ACS Photonics、Applied  Physics  Letters等发表了20余篇论文。近2年来，获国自然面上，中国科学院人才项目、北京市面上基金/国际合作项目、河南省联合基金重点项目等约1000万元经费支持。

报告简介: 异质集成可以将不同材料组合在一起，以实现优势互补，创造出新的功能性材料和器件，是当今半导体领域的前沿基础研究方向之一, 在微电子器件、光电子器件等领域具有重要的应用价值。本报告将重点介绍团队通过直接键合技术实现的4-8英寸GeOI, GaNOI等XOI衬底，以及基于这些衬底实现的光电器件，包括硅基探测器，硅基光源, 以及硅基晶体管等。

报告时间：2025年5月30日16：20-18：00

报告地点：SX406