报告题目：新型半导体材料载流子输运调控与器件设计

报告学者：林乾乾 教授

报告者单位：武汉大学

个人简介：

林乾乾，武汉大学物理科学与技术学院教授/博士生导师，博士毕业于澳大利亚昆士兰大学有机光电子中心，之后在英国牛津大学物理系从事博士后研究。2017年回国入职武汉大学物理科学与技术学院，获批国家高层次海外引进人才青年项目、湖北省青年百人等荣誉。主要从事半导体材料光电表征和器件的研究，包括瞬态光谱、载流子动力学和缺陷表征，光电探测器，薄膜太阳能电池和硫化物半导体等。在Nat. Photonics (2), Nat. Energy (2), Appl. Phys. Rev. (3), Nat. Commun. (3), Matter, Adv. Mater. (2), Adv. Energy Mater. (2), Adv. Funct. Mater. (3)和ACS Energy Lett.等期刊发表SCI论文90余篇，文章总引用6400余次，申请国内外专利十余项。

报告摘要：

近几年，有机半导体、硫化物、杂化钙钛矿等新型半导体材料被广泛研究。由于其柔性、廉价和性能容易被调控等优点，基于新型半导体的光电器件也取得了日新月异的进展，广泛应用于薄膜太阳能电池、发光二极管、光电探测器和场效应晶体管等。相比于硅、锗和砷化镓等传统的无机半导体，新型半导体材料一般更无序和复杂多变，对其光电性能还缺乏系统性认识，在半导体器件上的工作原理也存在一些争议，对于结构性能关系的研究和器件设计的探索也显得极为迫切和重要。本次报告，主要介绍基于泵浦-探测原理的瞬态微波光电导（TRMC）、深能级缺陷谱（DLTS）等技术应用于新型半导体的载流子动力学研究，主要关注于半导体器件和薄膜中载流子的产生、输运、复合、注入和抽取，还有界面层的调控等核心过程。通过对这些表征结果的分析和理解，进一步应用于光电器件的设计、模拟和优化上。

 

报告时间：2024年11月15日（周五） 下午14:10-15:10

会议地址：7127会议室