报告题目：单壁碳纳米管的可控制备 从基础研究到芯片应用

报告学者：李彦 教授

报告者单位：北京大学化学与分子工程学院

报告摘要：

单壁碳纳米管具有结构赋予的优异性能，其结构可控的制备一直是一个重要的基础科学问题；同时，自1998年第一个碳纳米管场效应晶体管（FET）诞生以来，以满足FET半导体沟道材料要求的单壁碳纳米管的制备也日益受到关注。而构筑超越硅基技术性能的集成电路对碳纳米管材料的要求也逐步明确：高半导体纯度（>99.9999%）和高密度（100-200根/微米）的单层平行阵列是构建超越硅基芯片性能的单壁碳纳米管基芯片的必要前提，当然实现这样的目标也成为领域内的巨大挑战。本报告将介绍单壁碳纳米管的结构和性能，单壁碳纳米管结构控制的策略与机制，针对高性能器件对材料的要求在单壁碳管的合成、分离和组装方面的研究进展及对未来发展的展望。

个人简介：

李彦，北京大学化学与分子工程学院博雅特聘教授，国家杰出青年基金获得者，曾任教育部长江学者特聘教授。二十多年来在碳纳米管领域耕耘，作为第一完成人带领团队2021年获国家自然科学二等奖，2018年获教育部自然科学奖一等奖；获全国优秀科技工作者、全国三八红旗手、中国化学会赢创化学创新奖杰出科学家、北京市高等学校教学名师、北京大学十佳教师和十佳导师等荣誉。长期兼任ACS Nano副主编及Chemical Society Reviews、Materials Horizons、Carbon、Nano Research等期刊的顾问编委或编委；2014年入选英国皇家化学会会士，现为中国化学会会士，化学会无机化学学科委员会副主任；担任MRS奖励提名委员会等多个国际学术组织的委员，受聘东京大学杰出访问教授。

 

报告时间：2024年11月11日（周一） 下午14:10-16:00

报告地点：YF205