报告题目：后摩尔低维电子学

报告学者：邱晨光

报告者单位：北京大学

学者简介: 邱晨光，北京大学电子学院研究员、“博雅青年学者”、国家优青、国家重点研发计划首席科学家、达摩院青橙奖获得者，中国十大新锐科技人物。从事纳米电子器件方面研究，以第一作者和通讯作者在《科学》上发表论文两篇，《自然》上发表论文一篇。Science论文 “5纳米栅长碳纳米管晶体管”入选2017中国高校十大科技进展，2017中国100篇国际高影响论文。Science论文“狄拉克冷源晶体管”首次在国际上提出并实现冷源亚60超低功耗新器件机制，拓宽了超低功耗器件领域范围，入选2018全国科创中心标志性原创成果。Nature论文“弹道InSe晶体管”首次将二维晶体管的实际性能推进超过硅基极限，入选2023中国十大科技进展新闻，中国半导体十大研究进展，中国重大科学、技术和工程进展等。

报告简介: 硅基集成电路遵循摩尔定律的发展，目前已经进入3纳米节点。硅基晶体管在尺寸微缩和电压缩减方面已经逐步放缓，逐渐接近物理极限。近年来，基于低维纳米材料的电子学进展迅速，如碳纳米管、二硫化钼等典型低维材料具有原子级超薄体的几何优势和较高的迁移率，因此有潜力成为未来节点晶体管的沟道材料。英特尔、台积电和IMEC等芯片公司均对低维电子学投入关注和研究。我们回顾了低维电子学发展历程和里程碑式进展，将目前已实现的低维晶体管的结构与性能参数来对标业界硅基先进节点晶体管，探讨当前低维电子学所需要解决的瓶颈问题和未来的发展方向。

 

报告时间：2024年5月13日（周一） 晚上19：00-20：50

报告地点：SY108